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叶佳鑫 
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Insignis 系列:NDL86P 包装:卷带（TR） 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:8Gb 存储器组织:512M x 16 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V 封装/外壳:96-TFBGA
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 存储容量:1Gb 存储器组织:64M x 16 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 封装/外壳:134-VFBGA 安装类型:表面贴装型 湿度敏感性:Yes 子类别:Memory & Data Storage
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制造商:Fujitsu 产品种类:F-RAM 安装风格:SMD/SMT 存储容量:1 Mbit 接口类型:SPI 组织:128 k x 8 电源电压-最小:1.8 V 电源电压-最大:3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 产品类型:FRAM 子类别:Memory & Data Storage 时钟频率:40 MHz 访问时间:9 ns
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Analog 包装:管件 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Kb 存储器组织:256 x 4 存储器接口:1-Wire? 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 μs 电压 - 供电:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线
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制造商:ISSI 产品种类:动态随机存取存储器 产品类型:DRAM 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 存储容量:1Gb 存储器组织:32M x 32 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 封装/外壳:134-VFBGA
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，ZBT 存储容量:18Mb 存储器组织:512K x 36 存储器接口:并联 时钟频率:133 MHz 访问时间:6.5 ns 电压 - 供电:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:100-LQFP 安装风格:SMD/SMT
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 存储容量:16Gb 存储器组织:2G x 8 存储器接口:并联 时钟频率:1.2 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 90°C（TC） 安装类型:表面贴装型
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Rohm Semiconductor 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:4Kb 存储器组织:512 x 8 存储器接口:I2C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:GDSL 描述:SPI NOR, WSON8 详细描述:QPI 133 MHz 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:256Mb 存储器组织:32M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:60μs，2.4ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:1.65V ~ 2V 封装/外壳:8-WSON（5x6）
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:1Gb 存储器组织:128M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:70μs，2ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:非易失 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:1Gb 存储器组织:128M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:70μs，2ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Flexxon Pte Ltd 系列:AXO 包装:托盘 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） 存储容量:64Gb 存储器组织:8G x 8 存储器接口:eMMC_5.1 时钟频率:200 MHz 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA
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制造商:Fujitsu 产品种类:F-RAM 安装风格:SMD/SMT 存储容量:1 Mbit 接口类型:SPI 组织:128 k x 8 电源电压-最小:1.8 V 电源电压-最大:3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 时钟频率:40 MHz 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 存储器类型:非易失 技术:FRAM（铁电体 RAM） 包装:卷带（TR）
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制造商:Rohm Semiconductor 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:32Kb 储器组织:4K x 8 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 产品状态:在售
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制造商:STMicroelectronics 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:256Kb 存储器组织:32K x 8 存储器接口:I2C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns 电压 - 供电:1.6V ~ 5.5V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-UFDFN 供应商器件封装:5-UFDFPN（1.7x1.4）
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