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赵志泓 
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Rohm Semiconductor 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:4Kb 存储器组织:512 x 8 存储器接口:I2C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:GDSL 描述:SPI NOR, WSON8 详细描述:QPI 133 MHz 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:256Mb 存储器组织:32M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:60μs，2.4ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:1.65V ~ 2V 封装/外壳:8-WSON（5x6）
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:1Gb 存储器组织:128M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:70μs，2ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:非易失 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:1Gb 存储器组织:128M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:70μs，2ms 访问时间:6 ns 电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
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类别:集成电路（IC） 存储器 制造商:Flexxon Pte Ltd 系列:AXO 包装:托盘 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） 存储容量:64Gb 存储器组织:8G x 8 存储器接口:eMMC_5.1 时钟频率:200 MHz 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA
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制造商:Fujitsu 产品种类:F-RAM 安装风格:SMD/SMT 存储容量:1 Mbit 接口类型:SPI 组织:128 k x 8 电源电压-最小:1.8 V 电源电压-最大:3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 时钟频率:40 MHz 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 存储器类型:非易失 技术:FRAM（铁电体 RAM） 包装:卷带（TR）
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制造商:Rohm Semiconductor 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:32Kb 储器组织:4K x 8 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 产品状态:在售
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制造商:STMicroelectronics 系列:Automotive, AEC-Q100 包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:256Kb 存储器组织:32K x 8 存储器接口:I2C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns 电压 - 供电:1.6V ~ 5.5V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-UFDFN 供应商器件封装:5-UFDFPN（1.7x1.4）
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制造商:ROHM Semiconductor 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VSON-8 接口类型:SPI 存储容量:64 kbit 组织:8 k x 8 电源电压-最小:1.7 V 电源电压-最大:5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 最大时钟频率:20 MHz 数据保留:100 Year 工作电源电流:1.7 mA 产品类型:EEPROM 子类别:Memory & Data Storage
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包装:卷带（TR） 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR（SLC） 存储容量:16Mb 存储器组织:2M x 8 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:50μs，7ms 访问时间:8 ns 电压 - 供电:1.65V ~ 3.75V 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 商标:Renesas 产品状态:在售
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型号/规格:ARS3412 品牌/商标:FUJITSU（富士通） 系列:ARS 包装:散装 线圈类型:无锁存 线圈电流:16.7 mA 线圈电压:12VDC 触头外形:SPDT（1 Form C） 额定接触（电流）:500 mA 开关电压:30VDC - 最大 必须吸合电压:9 VDC 必须释放电压:1.2 VDC 触头材料:镀金 线圈功率:200mW 线圈电阻:720 Ohms
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