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5年
企业信息

深圳市铭尔达科技有限公司

卖家积分:6001分-7000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
www.minerda.com

人气:167921
企业档案

相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:5年

叶佳鑫 QQ:3001769905

电话:0755-82527271

手机:13684998116

阿库IM:

地址:深圳市福田区中航路 7 号鼎诚国际大厦 2106-2107

E-mail:yejiaxin_2000@163.com

产品分类

普通库存(300000)

元器件产品

供应 NDL86PFG-8KIT TR DRAM

类别:集成电路(IC) 存储器 制造商:Insignis 系列:NDL86P 包装:卷带(TR) 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:8Gb 存储器组织:512M x 16 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V 封装/外壳:96-TFBGA

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供应 IS43LD16640D-18BLI DRAM

类别:集成电路(IC) 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 存储容量:1Gb 存储器组织:64M x 16 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 封装/外壳:134-VFBGA 安装类型:表面贴装型 湿度敏感性:Yes 子类别:Memory & Data Storage

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供应 IS43LD32320D-18BLI DRAM

制造商:ISSI 产品种类:动态随机存取存储器 产品类型:DRAM 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 存储容量:1Gb 存储器组织:32M x 32 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 封装/外壳:134-VFBGA

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供应 IS43QR8K02S2A-083TBL DRAM

类别:集成电路(IC) 存储器 制造商:ISSI 包装:托盘 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 存储容量:16Gb 存储器组织:2G x 8 存储器接口:并联 时钟频率:1.2 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:18 ns 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 90°C(TC) 安装类型:表面贴装型

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